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EMTEST拋負(fù)載模擬器LD200N介紹
點(diǎn)擊次數(shù):1004 更新時(shí)間:2022-04-24

EMTEST拋負(fù)載模擬器LD200N概述

LD 200N 包含完成全兼容測試的各項(xiàng)要素。它能夠依照 ISO 7637 和許多其他國際以及汽車廠家標(biāo)準(zhǔn)要求產(chǎn)生所需高能量脈沖,通過儲(chǔ)能電容向成形網(wǎng)絡(luò)放電。波形衰減符合 ISO 7637-2:2004 Annex E 細(xì)則的雙指數(shù)函數(shù)要求。

LD 200N 是一臺(tái)包含一個(gè) 60 V / 30 A 的直流耦合 / 去耦網(wǎng)絡(luò)的獨(dú)立設(shè)備,但同時(shí)也能簡單快速地集成到一整套測試系統(tǒng)中。

預(yù)編程的標(biāo)準(zhǔn)測試程序?yàn)橛脩籼峁┝藰岽蟮姆奖?。用戶可以通過自由編程模式輕松設(shè)置所需時(shí)間參數(shù)和峰值電壓,從而產(chǎn)生自定義的拋負(fù)載脈沖。

通過內(nèi)置的限幅拋負(fù)載模塊,LD 200N 可按照預(yù)先設(shè)定的時(shí)間參數(shù)和限幅電壓產(chǎn)生限幅拋負(fù)載脈沖。

操作

易于操作

通過前面板菜單和功能鍵,用戶可以快速、準(zhǔn)確地編輯測試程序??刂乒鈽?biāo)用于對(duì)已編定測試程序的所有測試參數(shù)進(jìn)行快速控制,使測試過程變得非常簡單,并確保每一測試步驟都能夠正確無誤地進(jìn)行。

應(yīng)用

LD 200N – 小型高能量拋負(fù)載發(fā)生器

拋負(fù)載脈沖模擬電瓶與發(fā)電機(jī)之間的連接突然斷開(例如:由腐蝕所造成)的情況。由于斷開了與電瓶負(fù)載的鏈接,發(fā)電機(jī)產(chǎn)生了過壓沖擊。這樣的拋負(fù)載脈沖為高能量脈沖,具有很強(qiáng)的破壞性。LD 200N 模擬這種高能量脈沖,持續(xù)時(shí)間達(dá)數(shù)百毫秒。 LD 200N 所產(chǎn)生的拋負(fù)載脈沖滿足 ISO 7637, ISO 16750-2,SAE J1113,SAE J1455,JASO 以及眾多汽車廠家標(biāo)準(zhǔn),例如 Ford,Chrysler,Renault,PSA,NISSAN 等等。通過內(nèi)置限幅電路,LD 200N 還能產(chǎn)生符合國際標(biāo)準(zhǔn)和汽車廠家標(biāo)準(zhǔn)的限幅拋負(fù)載脈沖。

EMTEST拋負(fù)載模擬器LD200N特點(diǎn)

★ 符合 ISO 7637,ISO 16750-2,SAE J1113,SAE J1455,JASO,Nissan 以及大多數(shù)汽車廠家標(biāo)準(zhǔn) 的拋負(fù)載模擬器
★ 可產(chǎn)生限幅拋負(fù)載脈沖
★ 內(nèi)置 0.5 – 38 ohm 源阻抗,可選步長 0.1 ohm
★ 脈沖持續(xù)時(shí)間樶長可達(dá) 1,200 ms
★ 內(nèi)置 80 V / 30 A 耦合網(wǎng)絡(luò),并可拓展到 200 A
★ 前面板操作
★ 自由編程模式
★ USB 和 GPIB 接口


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